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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

SCI/SCIE
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
雜志名稱:電子器件匯刊
簡稱:IEEE T ELECTRON DEV
期刊ISSN:0018-9383
大類研究方向:工程技術
影響因子:2.704
數據庫類型:SCI/SCIE
是否OA:No
出版地:UNITED STATES
年文章數:759
小類研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
審稿速度:約4.7個月
平均錄用比例:較易

官方網站:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16

投稿網址:https://mc.manuscriptcentral.com/ted

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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

英文簡介

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects.

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

中文簡介

IEEE《電子器件學報》發表了有關電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設計、性能和可靠性方面的原創和重大貢獻。

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中科院分區
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工程技術 2區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區 3區

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JCR分區
JCR分區等級 JCR所屬學科 分區 影響因子
Q2 PHYSICS, APPLIED Q2 3.221
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q2

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中科院JCR分區歷年趨勢圖

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