時(shí)間:2019年10月10日 分類(lèi):新聞中心 次數(shù):
半導(dǎo)體二極管是半導(dǎo)體兩端器件,應(yīng)用也是非常廣泛的。很多電子、電力方向從業(yè)人員、在校生也會(huì)發(fā)表相關(guān)的論文,因而會(huì)尋求相應(yīng)的論文發(fā)表指導(dǎo),從而能夠順利發(fā)表論文,為評(píng)職或者是畢業(yè)增加砝碼。為此小編在這里給大家講解相關(guān)的論文發(fā)表知識(shí),一步步提高論文發(fā)表成功率。
一篇優(yōu)秀的半導(dǎo)體二極管論文還是比較好發(fā)表的,要題目精準(zhǔn),結(jié)構(gòu)嚴(yán)謹(jǐn),具有合理的篇幅,必要情況下也可以找專(zhuān)業(yè)機(jī)構(gòu)老師幫助修改,讓論文達(dá)到可以發(fā)表的水平。之后就是發(fā)表論文,要注意投稿方式,可以發(fā)送電子郵件,也可以打印郵寄,選擇的刊物一定要是正規(guī)有效的。
發(fā)表論文對(duì)作者自身來(lái)說(shuō)是有難度的,建議多咨詢(xún)專(zhuān)業(yè)老師的意見(jiàn),才能提高論文發(fā)表的機(jī)會(huì),安排適合的投稿時(shí)機(jī),而自己向雜志社投稿盲目性很大,稍有不慎就可能石沉大海延誤半導(dǎo)體二極管論文發(fā)表,更別提順利見(jiàn)刊了。
最后小編也在這里給大家推薦了兩本適合半導(dǎo)體二極管論文發(fā)表的刊物,大家可以作為參考:
《半導(dǎo)體技術(shù)》以嚴(yán)謹(jǐn)風(fēng)格,權(quán)威著述,在業(yè)內(nèi)深孚眾望,享譽(yù)中外,對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展發(fā)揮了積極的作用。所設(shè)欄目:研究報(bào)告;文獻(xiàn)綜述;簡(jiǎn)報(bào);專(zhuān)題研究;接收的論文有:晶硅襯底參數(shù)對(duì)背接觸太陽(yáng)電池性能的影響;圖案化GaAs襯底外延InP局域表面成核層生長(zhǎng);集成電路封裝級(jí)失效及其定位等。
《半導(dǎo)體雜志》由信息產(chǎn)業(yè)部電子第46研究所和天津市電子學(xué)會(huì)主辦。上級(jí)主管單位中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部。編輯部主編程憲章。1976年創(chuàng)刊,目前為季刊。《半導(dǎo)體雜志》辦刊宗旨是報(bào)導(dǎo)我國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界的最新理論、技術(shù)、工藝及應(yīng)用方面的科研成果和研究動(dòng)態(tài)。積極促進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)的交流和發(fā)展,為我國(guó)電子工業(yè)發(fā)展服務(wù)。
版權(quán)聲明:文章來(lái)源于網(wǎng)絡(luò),由本平臺(tái)整合撰寫(xiě),版權(quán)歸原作者或平臺(tái)所有,分享只為學(xué)術(shù)交流,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除或整改,謝謝。